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比利时微电子研究中心采用连续渗透合成技术显著改善极紫外光刻图形化工艺
2019-02-27


[据物理学组织网站2019225日报道] 本周,在国际光学工程学会(SPIE2019先进光刻技术会议上,比利时微电子研究中心(IMEC)展示了连续渗透合成(SIS)技术在改善极紫外光刻(EUVL)图形化工艺方面的优势。这种后光刻技术可以显著降低随机纳?#36164;?#25928;的发生几率并改善线粗糙度,有助于推动极紫外光刻图形化工艺在未来工艺节点的引入。IMEC的研究工作结合了计量学、蚀刻工艺以及材料开发方面的最新进展,将在SPIE
2019
先进光刻会议论文集上发表多篇论文。



连续渗透合成(SIS)技术是一种现有技术,之前一?#21271;?#29992;于定向自组装(DSA),现在可应用于极紫外光刻,具体是将无机物渗透到光刻光刻胶中,使光刻胶变得更硬?#36879;?#29282;固,从而提升图形化工艺的各项性能参数。IMEC与先进半导体材料公司(ASM)和阿斯麦公司(ASML)等合作伙伴合作,首次将使用连续渗透合成技术的极紫外光刻工艺与标?#25216;?#32043;外光刻工艺做了对比,发现采用连续渗透合成技术的工艺在图形粗糙度、纳?#36164;?#25928;?#31181;?#21644;局部扰动等方面具有明显优势。IMEC将连续渗透合成技术用于氮化钛(TiN)层内的全图形转移过程时,发现与参考工艺过程相比,新工艺在区域内的局部临界尺寸均匀性(LCDU)提高了60%,线边缘粗糙度减小了10%。此外,纳米缺陷(典型的纳?#36164;?#25928;模式)的数量也减少了至少一个数量级。这些图形化工艺改善均来自连续渗透合成技术的固有特性。这些结果在一个工业应用案例中也得到了验证,逻辑芯片的全翼展临界尺寸缺陷(类似于标?#25216;?#32043;外光刻工艺的局部临界尺寸均匀性)减小了20%



能够利用连续渗透合成技术使极紫外光刻工艺在所有参数上都得到提升,主要得益于IMEC先进的极紫外光刻?#22270;?#37327;基础设施,以及最近在过程控制、材料和刻蚀工艺等研究领域的进展。IMEC当前的工作主要是将这些成果和能力结合在?#40644;穡?#30495;正使连续渗透合成技术成为极紫外光刻图形化工艺的重要优化手段。



IMEC先进图形化工艺技术总监格雷格·麦金太尔指出,得益于IMEC及合作伙伴在材料科学、沉积、成像?#22270;?#37327;学等各个领域所取得的进展,近年来在将连续渗透合成技术应用于极紫外光刻图形化工艺的工作取得了一些成就。这?#24471;鰨?#21482;要凭借多个领域和生态系统合作伙伴的知识集成和联合工作,我们将有望超越3纳米的集成电路制造工艺节点。(工业和信息化部电子第一研究所  李铁成)



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